多孔碳/石墨

通常用于Sic晶体生长以减少晶体缺陷。

高孔隙均匀性。

优化气体传输，提高晶体生长速度。

集中孔径分布。

总杂质少于1 ppm (GDMS)。

可以涂上TaC以提高抗硅腐蚀的能力

也可用于高温下的固/气相分离/气体分配。