粤升设备自主研发的SiC外延炉，外延炉已获得多家外延生长厂家批量订单，生长的SiC外延片质量达到国际**水平，满足SBD和MOSFET器件的制备要求。

设备名称:SiC外延炉

设备型号:YS-E08S01

设备功能:CVD法生长SiC同质外延

衬底尺寸:6吋兼容8吋

片内厚度不均匀性:<2%片内掺杂浓度不均匀性:<5%形貌缺陷密度:<1个/平方c㎡

·具备n、p型及高速率的外延生长能力

·RUN TO RUN性能优异

高均匀性、低缺陷的SiC外延质量

，供液一体化系统，