沈阳中科汉达科技有限公司
  • 中科汉达
    参考报价:电议
    型号:腔体合成炉
    产地:辽宁
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  • 详细介绍:


    适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。

    技术参数

    生长工艺

    PVT

    生长尺寸

    6-8英寸

    产品类型

    非标定制

    加热方式

    感应加热(中频感应加热)

    **温度

    2400℃

    系统停泵关机12小时后真空度

    ≤5Pa

    控制方式

    PLC集成控制

    系统极限真空度

    ≤7×10-5 Pa (经烘烤除气后)

    系统真空检漏漏率

    ≤5.0×10-7 Pa.l/S

    冷却方式

    循环水路系统

    适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。