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腔体合成炉
报价:面议
品牌: 中科汉达
产地: 辽宁
关注度: 26
型号: 腔体合成炉
核心参数

非金属电热元件:其他

金属电热元件:其他

烧结气氛:其他

最高温度:2400℃

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产品介绍

适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。

技术参数

生长工艺

PVT

生长尺寸

6-8英寸

产品类型

非标定制

加热方式

感应加热(中频感应加热)

**温度

2400℃

系统停泵关机12小时后真空度

≤5Pa

控制方式

PLC集成控制

系统极限真空度

≤7×10-5 Pa (经烘烤除气后)

系统真空检漏漏率

≤5.0×10-7 Pa.l/S

冷却方式

循环水路系统

适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。

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沈阳中科汉达科技有限公司为您提供中科汉达腔体合成炉,腔体合成炉产地为辽宁,属于粉体焙烧炉,除了腔体合成炉的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供电阻法、感应氮化铝、水平式长晶炉。
工商信息
企业名称

沈阳中科汉达科技有限公司

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