该设备用于8英寸、12英寸半导体晶圆减薄、抛光工艺。

基本信息

• 1. 适用产品：8/12inch 硅基晶圆减薄、抛光

• 2. 可对应*薄产品：≥50μm(DBG工艺：≥25μm)

• 3. 研磨速度：0.01μm/s~80μm/s

• 4. 适用物料厚度：≤1.8mm

• 5. 加工品质：TTV≤2.5μm，WTW 士2.5μm，Ra≤0.005μm