SiC与GaN晶圆氧化工艺设备，工艺时间短，生产效率高，具有出色的工艺性能。

设备特点

◎ 型号:OXIDE150

◎ 工艺温度:1380℃~1500℃

◎ 工艺气体:H₂/N₂O/NO/O₂/Ar₂/N₂

◎ 工艺压力:100mbr-Atmospher

◎ 晶圆尺寸:≤150mm

◎ 产能:25或50 片/批

◎ 正常UP Time:98%

◎ 全自动化系统和MES服务