设备特点

◎ 用途:用于 HgCdTe 薄膜材料的液相外延生长

◎基片尺寸:max40mmx60mm

◎ 数量:每管炉次4片;

◎ 反应管内径:中126mm;

◎ 控温分区:四区独立控温;

◎ **工作温度:750℃;

◎ 温度控制精度:≤0.1℃

◎ 恒温区长度:260mm;

◎ 恒温区温度均匀度:±0.2℃(400℃~550℃);

◎ 控温方式:内控温和外控温

◎ *小稳定降温速率:≤0.1℃/min,±0.1℃

◎ 空载快速降温速率:550℃-100℃，<90min

◎ 石墨舟:垂直进出反应管，升降自动

◎ 旋转方向:顺时针和逆时针

◎ 旋转:基片支架可相对石墨舟或坩埚旋转、浸液升降;

◎ 基片支架浸舟升降行程:>85cm

◎ 基片支架浸舟升降速度:1-10mm/

◎ 基片支架浸舟旋转速度:0.5-5rmp

◎ 运动部位定位精度:≤0.5mm

◎ 抽速:整机抽到≤5Pa时间≤5min

◎ 整机极限真空:≤5Pa

◎ 真空检漏灵敏度:1.0x10-¹²Pa.m³/S

◎压升率:<25Pa/h

◎ 汞收集:排气管路具有汞蒸气冷凝回收冷阱

◎ 工艺过程:计算机全自动控制，人机工程设计，自动运行、操作方便;

软件要求

系统控制软件具备自动控制整个工艺流程的能力，设计有相应的等级限制，能够自主设置控制工艺参数的

知悉范围:具备手动控制功能，在自动控制出现问题时能手动控制保护热处理材料及设备。

安全操作

具有H2 泄露检测，报警、自锁互锁、清洗等功能;加热温度过热、检测、报警和联锁;断水断电断气互锁等