LPCVD用于淀积Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、SiN(LSSiN)、PSG、BSG、BPSG等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

设备主要特点

◎ 采用先进的闭环控制系统，压力稳定无波动

◎ 高精度温控系统

◎ 工艺薄膜均匀性优异

★支持SECS/GEM通讯

主要技术指标

◎ 适用硅片尺寸:4~6"

◎ 工作温度范围:350℃~800℃

◎ 恒温长度:300-1100mm(可定制)

◎ 系统极限真空度: 10mtorr

◎ 工作压力范围:100~400mtorr可调

工艺类型

◎ Poly

◎ D-Poly(P+/N+)

◎SIPOS

◎BPSG

◎ SiO2 (LTO TEOS )

◎ 工艺均匀性:

◎SiN(LSSiN)

片内≤±2% 片间≤±2% 批间≤±2%