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碳化硅激光垂直剥离设备
报价:面议
品牌: 北京晶飞
产地: 北京
关注度: 44
型号: 碳化硅激光垂直剥离设备
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产品介绍

加工材料 SiC晶锭

切割尺寸(inch) 4/6/8/

**切割厚度(mm) 50

材料损耗 100-160um

切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45

重复定位精度(μm) ±0.5

长宽高(mm) 1770×1720×1985

加工工艺

碳化硅激光垂直剥离设备采用的加工工艺是使用激光剥离取代传统的线切割模式

产品1-1.jpg


加工效果

1剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆.jpg
1垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆.jpg
剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆


技术规格

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北京晶飞半导体科技有限公司为您提供北京晶飞碳化硅激光垂直剥离设备,碳化硅激光垂直剥离设备产地为北京,属于半导体行业专用仪器,除了碳化硅激光垂直剥离设备的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供全自动碳化硅激光垂直剥离产线。
工商信息
企业名称

北京晶飞半导体科技有限公司

企业类型

信用代码

91110105MACRU63W4G

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