北京晶飞半导体科技有限公司
  • 北京晶飞
    参考报价:电议
    型号:碳化硅激光垂直剥离设备
    产地:北京
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  • 详细介绍:


    加工材料 SiC晶锭

    切割尺寸(inch) 4/6/8/

    **切割厚度(mm) 50

    材料损耗 100-160um

    切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45

    重复定位精度(μm) ±0.5

    长宽高(mm) 1770×1720×1985

    加工工艺

    碳化硅激光垂直剥离设备采用的加工工艺是使用激光剥离取代传统的线切割模式


    加工效果

    剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆


    技术规格