采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法，

合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。

可提供半定制化服务

高真空

腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着；

各表面严密结合，避免产生泄露；

大抽速泵体，实现快速抽空功能；

高密封性阀体，实现长时间的真空保压。

高精密

高精度数控加工部件；

精密传动部件；

高品质电控系统；

实现运动系统的高精度控制，重复定位无偏差。

全自动

自主开发系统，实现全自动过程；

兼容各种工艺操作流程；

操作权限分级，减少误动作；

自主研发异地网络远程监控SiC操作系统——安全，可靠，便捷，实现无人值守远程控制。

碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式) 

晶体尺寸 100 ~ 150kg 

工艺 SHS 

加热方式 电阻式 

基本参数 主机尺寸 W3150 x D1850 x H4780mm 

整机重量 约5T 

支持系统 电     源 容    量 280kVA 

电    压 380VAC±10%, 3P,  50/60Hz 

冷 却 水 压    力 0.3 ~ 0.5MPa 

流    量 ＞250L/min 

工艺气体 压    力 ＞0.2MPa 

压缩空气 压    力 0.5 ~ 1.0MPa