应用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备；适用工艺有LPCVD。

• 温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制；

  装载采用SiC悬臂桨，避免了与工艺管摩擦产生粉尘。