CVD石墨烯生长炉专门针对于用在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、使用时把金属箔附在内管上。其**工作温度可以达到1200℃，专门针对于用CVD化学气相沉积方法在金属箔上生长薄膜物质，如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。

石墨烯生长炉由HTTF1200真空管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，**温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。

石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统(化学气相沉积系统)，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。

HTTF-1200真空管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。

真空管式炉软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。

石墨烯生长炉标准配件：

质子混气系统1台、双旋机械泵1台、水冷系统1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、说明书1份.