GaN 6寸/8寸外延炉

EPIREVO G8是日本株式会社东芝的子公司纽富莱（NuFlare）的主要产品之一。

EPIREVO G8通过在在200㎜Si衬底上高质量的高速成膜，

从而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD装置，为实现低碳社会做出贡献。

高生产性

GaN膜能够达到9µm/hour以上的高速生长

能够达到200℃/minute以上的高速升温

高品质

200mm晶片面内2度以内的**温度分布

低成本

TMG可以达到20%以上的高利用率

In-Situ清洁功能带来的高生产效率