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碳化硅基氮化镓外延片
报价:面议
品牌: 中电化合物
产地: 浙江
关注度: 79
型号: 碳化硅基氮化镓外延片
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产品介绍
    • Standard Layer Specifications


    Layer name

    Discription

    Thickness

    Comment

    Substrate

    100 or150 mm

    500±25 μm

    Beveling or Flat Orientation

    Buffer

    Doping iron

    2±0.5 μm

    Can be customized

    GaN channel

    GaN

    200nm

    Can be customized

    AlN insert

    AlN

    0.5-1.5nm

    Can be customized

    Barrier

    AlGaN(25%Al)

    20nm

    Can be customized

    Cap

    GaN

    2nm

    SiN cap available upon request

     


      • Electrical Specifications


      Parameter

      Measurement

      Units

      Target

      Electron Mobility

      Hall

      cm2/V.s

      >1600

      Sheet charge Density

      Hall

      /cm2

      >8E12

      Sheet Resistivity

      Eddy current

      Ohms/sq

      <450

      Sheet Resistivity uniformity

      Eddy current

      55 point

      <3%

      surface Topography

      AFM

      nm@5*5µm2

      <0.5

      TTV


      um

      <5

      Bow


      um

      < 5 0

      Breakdown voltage

      Gate test

      V

      >120


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中电化合物半导体有限公司为您提供中电化合物碳化硅基氮化镓外延片,碳化硅基氮化镓外延片产地为浙江,属于碳化硅粉,除了碳化硅基氮化镓外延片的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供碳化硅晶锭。
工商信息
企业名称

中电化合物半导体有限公司

企业类型

信用代码

91330201MA2GULTE5Q

法人代表

注册地址

成立日期

注册资本

有效期限

经营范围

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