 上海光学 |
参考报价：电议 型号：声学级铌酸锂晶体
产地：上海 在线咨询
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铌酸锂（ＬＮ）晶体具有优良的压电、电光、声光、非线性等性能。在民用领域有着广泛的用途，随着光电技术的发展， ＬＮ晶体还是较好的压电晶体，能用于制作中低频SAW滤波器，大功率耐高温的超声换能器等。
| 项目 | 名 称 | 规 格 |
| 1 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ2″Y轴Z轴X轴 |
| 2 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ2″64°Y-X |
| 3 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ2″128°Y-X |
| 4 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ3″Y轴Z轴 |
| 5 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ3″64°Y-X |
| 6 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ3″128°Y-X |
| 7 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ4″Y轴Z轴 |
| 8 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ4″64°Y-X |
| 9 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ4″128°Y-X |
基本性质（Basic Properties）
晶体结构 Crystal Structure | Trigonal, point group3m |
晶格常数 Lattice Parameters | a=5.148, c=13.863 |
密度 Density | 4.64g/cm3 |
熔点 Melting Point | 1250℃ |
居里温度 Curie Point | 1142±2℃ |
硬度 Mohs Hardness | 5 |
介电常数 Dielectric Constant | ε11/ε0=85; ε33/ε0=29.5 |
电阻系数Thermal Conductivity | 38W/m/℃at25℃ |
热膨胀系数 Thermal Expansion Coefficient | a1=a2=2×10-6/℃, a3=2.2×10-6/℃at25℃ |
压电常数 Piezoelectric Strain Constant | d22=2.04×10-11C/N,d33=0.6×10-11C/N,d15=7X10-11C/N，d31=-0.1X10-11C/N |
Elastic Stiffness Constant | C11E=2.04×1011N/m2,C33E=2.46×1011N/m2, |
声表面波级铌酸锂晶片（SAW Grade LiNbO3Wafer）
轴向 Orientation | 64°rot.Y-cut ± 0.2° | 127.86°rot.Y-cut ± 0.2° | Y-cut ± 0.2° |
直径 Diameter | 76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm | 76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm | 76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm |
基准面 Orientation Flat (OF) | 22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° | 22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° | 22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° |
第二参考面 Second Refer. Flat (RF) | 10mm±3mm Cw180° ± 0.5° from OF | 10mm±3mm Cw225° ± 0.5° from OF | 10mm±3mm Cw270° ± 0.5° from OF |
厚度 Thickness | 500um ± 20um 350um ± 20um | 500um ± 20um 350um ± 20um | 500um ± 20um 350um ± 20um |
传播表面 Propagating surface | “+” side Ra ≤ 8 | “+” side Ra ≤ 8 | “+” side Ra ≤ 8 |
晶片背面 Wafer backside | GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um | GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um | GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um |
TTV | ≤ 10um | ||
LTV | ≤ 2.0um within an area of5×5mm2 | ||
PLTV | ≥ 95% (3mmfrom edge excluded) | ||
BOW | -25um ≤ Bow ≤ +25um | ||
居里温度 Curie Temperature | 1142℃±3℃(DTA method) | ||
边缘倒角Edge Beveling | Edge rounding | ||
