主要技术指标:

外形尺寸:2818*1990

冷却方式:制冷机直接冷却

中子東窗厚度:≤5mm

磁场值:对称模式可达磁场27.0T:非对称模式25.0T

磁场均匀度;样品中心磁场均匀度<1%($10mmx20mm高的圆柱内)，样品中心磁场均匀度<2%($25mmx30mm高的圆柱内)

中子入射截面尺寸:42mmx42mm

散射裔垂直角度:2+5°

散射窗水平角度:≥170°

可变温插件VTI内径:≥50mm

变温范围:1.5K-300K

主要用途:用于散裂中子源谱仪原位中子散射实验,在一定时间内对样品进行降温冷却，为样品提供zui低温度≤1.5K，zui高温度2300K的温度范围对称模式可达中心磁场27T的实验环境，非对称模式可达中心磁场25T的实验环境，目具备远程些控功能和接口，同时能够自动控制和调节磁场大小和变温插件(VTI)温度。