简介(Description)

B系列半自动快速退火炉，适用于多规格尺寸(9片4英寸，4片6英寸，1片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于，磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延片)，拥有出色的热源和结构设计。双面加热方式与单面加热相比，可以大幅减小图案加载效应，晶片上热的均匀性将更好。1-5路气体配置(可定制)，可抽真空腔体。设备国产化率达到95%以上，配件渠道丰富。

定义(Definition):

快速热处理(RTP)设备是一种单片热处理设备，可以将晶圆的温度快速升至工艺所需温度(200-1300℃)并且能够快速降温，升/降温度速率约20-250℃。RTP设备还具有其他优良的工艺性能，如**的热预算和更好的表面均匀性，尤其对大尺寸的晶圆片。多用于修复离子注入后的损伤，多腔体规格可以同时运行不同的工艺过程。

设备规格(Specifications)

1、适用于2、4、6、8英寸 Wafer(双腔体可摆放9片4英寸或4片6英寸或1片8英寸材料进行加热处理);2、冷却方式包括水冷和氮气吹扫(循环常温水冷却，软件可视化监控管理，防止外壁过热，内置氨气管路，吹扫腔

体，保持清洁，极速降温);

3、MFC控制，1-5路制程气体。(品牌MFC控制器，内置多路气氛管路，可定制开通，满足各类测试工艺需求);4、退火温度范围 300℃-1000℃(常规硅基材料温度适用于850℃，第三代半导体材料**可到1350℃)5、升温谏率 ≤150℃/秒(升温速度随不同的材料及装置会有差异，标准数据是裸片放置内测量后得出，150摄氏度每秒是常规温度速率，加热设备的极限会更高);

6、Windows操作系统:(高性能工业电脑，搭载windows操作系统，larcomse专属软件操作，上手简单，系统功能强大，各类数据可视化程度高，内容丰富，亦可定制软件模块);

7、配置真空系统(有定压功能，满足常规真空要求，使用分子泵能达到更高的真空度，能定制真空度);8、多只红外卤素光源(根据需求可配置数量不等的灯管，以满足工艺加热要求)

设备主要工艺应用(Application):

快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氨化(RTN);

离子注入/接触退火;

·高温退火;

●高温扩散;

金属合金;

热氧化处理。