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参考报价：电议 型号： 电子级单晶金刚石衬底
产地：陕西 在线咨询
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| 常规产品 | |
|---|---|
| 晶面: | {100} |
| 尺寸（长宽）: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 厚度: | 0.2mm-3mm |
| 横向公差: | ±0.05mm |
| 表面粗糙度: | 普通（Ra≤5nm）；精抛（Ra≤1nm） |
| 杂质浓度: | N≤5ppm；B & Si小于SIMS检测下限 |
| XRD FWHM: | 100arcsec；60arcsec；40arcsec（可选） |
| XRD offset: | ＜3° |
| 位错密度: | ＜10^5/cm |
| 热导率: | ＞2000 W/m·K |
| 常规参数 | |
|---|---|
| 拼接方式: | 4个10mm×10mm电子级单晶金刚石衬底拼接 |
| 晶面: | {100} |
| 尺寸（长宽）: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 厚度: | 0.5mm-2mm |
| 横向公差: | ±0.05mm |
| 激光切面角度: | ＜0.5° |
| 表面粗糙度: | 普通（Ra ≤5nm）；精抛（Ra ≤1nm） |
| 常规参数 | ||
|---|---|---|
| 氢终端单晶金刚石外延 | 尺寸: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 表面粗糙度: | Ra＜2nm | |
| 氧终端单晶金刚石外延 | 尺寸: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 表面粗糙度: | Ra＜1nm | |
| B掺杂单晶金刚石外延 | B浓度: | 2X10^16-1X10^17/cm3 |
| 薄膜厚度: | 可商议 | |
| 迁移率: | ＞1500 cm2/V·s | |
| 常见产品型号 | 尺寸 | 主要参数 |
|---|---|---|
| DD335 | 3mm×3mm×0.5mm | XRD offset 1°、电子级 |
| DD10105PPV | 10mm×10mm×0.5mm | 双面精抛、电子级 |
| DD20205P | 20mm×20mm×0.5mm | 单面精抛、电子级 |
| DD40401P | 40mm×40mm×1mm | 常规单面抛光、电子级 |
