HGL1151系列是集成了通用智能核心技术的半导体晶圆Low-K层开槽设备，全自动一站式加工，晶圆上料→预清洗+保护层涂布→激光开槽→后清洗+干燥→晶圆下料，所有工艺过程一气呵成。产品全系采用高性能激光器及空间光整形系统，标配超高精密气浮式高速加工平台，切割过程实时监控··实时纠偏等功能，确保Low-K晶圆开槽的精度一致性和质量的稳定性。本产品的开槽精度高，槽形优异，尤其对热影响区的控制达到国际**水准。主要技术性能达到国内**，部分技术性能超过国际同类产品，是全面替代进口开槽设备的**选择。

Low-K激光开槽工艺优势

• 非接触加工、无物理应力、无晶圆碎裂风险

• 通过动态激光实时控制，工艺设置简单灵活

  ①自由改变开槽宽度

  ②自由设置槽底平滑度

• 运用方便，运用成本低

  ①一次定位、一次清洗，

  ②工艺过程清洁

  ③无环境污染

  ④基本无耗材，运用成本极低

技术原理

• 运用高性能空间光整形技术按需调制输出激光形态

  ①切割道两侧以极细的双光束刻画出边界细槽

  ②以平顶多光束激光在边界槽内侧切割道开槽

• 运用高性能实时动态激光控制技术确保开槽精度

  ①实时控制激光束对槽壁垂直度的加工精度

  ②实时控制激光束对槽底平整度的加工精度

• 超快速脉冲激光束对Low-K材料进行精确去除

• 开槽周边热影响区控制在5μm以内

Low-K材料开槽工艺制程

• Low-k（低介电常数）材料是线宽制程低于 65nm 以下的高性能集成电路所必须的绝缘材料

• Low-K 材料机械特性脆弱，易碎

• Low-K 材料与 Si 系材料的附着力低，易剥离易分层

• 带有 Low-K 层的半导体晶圆无法承受传统刀轮切割的机械冲击带有 Low-K 材料的晶圆在切割前，需导入 Low-K 开槽工艺，以避免后续切割制程对 Low-K 材料层造成伤害