目前，第四代半导体材料主要是以金刚石（C）、氧化镓（Ga₂O₃）、氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带（UWBG）半导体材料，禁带宽度超过4.0 eV。相对于硅材料（**代）、氮化镓（第三代）、碳化硅（第三代）等，金刚石半导体材料的禁带宽度高，**优势在于更高的载流子迁移率、更高的击穿电场、更大的热导率。金刚石具有室温下**的热导率，可以满足未来大功率、强电场和抗辐射等方面的需求，是制作功率半导体器件的理想材料，在智能电网、轨道交通等领域有着广阔的应用前景。