• 替代BeO、AlN、钼铜合金、Cu-diamond等陶瓷或复合材料，与光电、射频等器件焊接，大幅降低芯片结温，提升芯片功率密度与稳定性

• 抛光后表面粗糙度<20nm，与AMB、DPC等工艺兼容

  
  

热导率>1200W/mK

尺寸：2英寸

厚度：0.1mm-1mm

表面粗糙度：Ra<20nm