碳化硅(SiC)单晶材料，由于其具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、**、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。

张家港安储科技根据客户的需求开发了系列碳化硅晶圆抛光液，包含氧化铝，氧化硅，氧化铈等抛光液，满足客户的粗抛以及精抛需求。