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| 品牌： | 株洲艾森达 |
| 产地： | 湖南 |
| 关注度： | 784 |
| 型号： | 氮化硅基板 |
产品优势
♦ 氮化硅基板与氮化铝和氧化铝基板相比，具有两倍以上的抗弯强度
♦ 与氧化铝和ZTA基板相比具有三倍以上的热导率
♦ 具有高的绝缘性和与Si相匹配的热膨胀系数
♦ 优异的抗热震性能和高强度
参数指标
ASD陶瓷基板材料特性 | ||||||||||
材料牌号 | ASD-996 | ASD-ZTA | ASD-170 | ASD-200 | ASD-230 | ASD-HS | ASD-Si3N4 | |||
Al2O3含量 | wt | % | 99.6% | Al2O3/ZrO2 | AlN | AlN | AlN | AlN | Si3N4 | |
外观 | - | - | 白色致密 | 白色致密 | 浅灰色致密 | 米黄色致密 | 米黄色致密 | 深灰色致密 | 深灰色致密 | |
表面粗糙度 | Ra | μm | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | <0.6 | |
表观密度 | 排水法 | g/cm3 | ≥3.85 | ≥3.95 | ≥3.3 | ≥3.3 | ≥3.3 | ≥3.3 | ≥3.2 | |
光反射率 | 400nm/1mm | % | 83 | 97 | - | - | - | - | - | |
机械性能 | 抗弯强度 | 三点抗弯 | MPa | >500 | >650 | >400 | >350 | >300 | >550 | >700 |
断裂韧性 | 压痕法 | MPa﹡m1/2 | 3 | 4.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 6.5-7 | |
维氏硬度 | 裁荷4.9 N | GPa | 16 | 15 | 11 | 11 | 11 | 11 | 15.0 | |
杨氏模量 | 拉伸法 | GPa | 300 | 310 | 320 | 320 | 320 | 320 | 310.0 | |
热性能 | 热照胀系数 | 25 ~ 800℃ | ×10-6/ k | 7.9 | 8.0 | 4.6-5.2 | 4.6-5.2 | 4.6-5.2 | 4.6-5.2 | 2.5-3.1 |
热导率 | 25℃ | W/(m・k) | >29 | >27 | >170 | >200 | >230 | >150 | >80 | |
抗热震性 | 800℃ | ≥10次 | 无裂纹 | 无裂纹 | 无裂纹 | - | - | 无裂纹 | 无裂纹 | |
比热 | 25℃ | J/（kg∙k） | 780 | 720 | 720 | 720 | 720 | 720 | 680 | |
电性能 | 介电常数 | 1 MHz, 25℃ | - | 9.5-10.5 | 9.5-10.5 | 8-10 | 8-10 | 8-10 | 8-10 | 7.8 |
介电损耗 | 1 MHz. 25℃ | ×10-4 | ≤2 | ≤3 | ≤3 | ≤3 | ≤3 | ≤3 | ≤4 | |
体枳电阻 | 25℃ | Ω∙ cm | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | ＞1014 | |
击穿电压 | DC | KV/mm | ＞15 | ＞15 | ≥20 | ≥20 | ≥20 | ≥20 | ＞15 | |
ASD陶瓷基板规格尺寸 | |||||||
厚度规格（mm） | 尺寸（mm） | ||||||
50.8*50.8 | 76.2*76.2 | 101.6*101.6 | 114.3*114.3 | 120*120 | 140*190 | 150*150 | |
0.1 | 3 | —— | —— | —— | —— | —— | —— |
0.15 | 3 | —— | —— | —— | —— | —— | —— |
0.2 | 3 | 3 | 3 | —— | —— | —— | —— |
0.245 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | —— | |
0.32 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | 1/2/3/6/7 | —— |
0.337 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | —— | —— |
0.35 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | —— | —— |
0.381 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | —— | —— |
0.5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 3/4/5 | 1/2/3/6/7 | —— |
0.635 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 |
0.762 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
1 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 |
1.5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 | 1/2/3/4/5 |
2 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
4 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3 | 1/2/3/ | 1/2/3 |
备注 | 1、ASD-996,2、ASD-ZTA,3、ASD-170,4、ASD-200,5、ASD-230,6、ASD-HS，7、ASD-Si3O4 | ||||||
Si3N4陶瓷基板具备高强度、高导热、耐高温、高耐磨性、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等性能，同时具有较好的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，成为大功率半导体器件基板的**材料，被广泛应用到功率集成电路中。
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