浙江晶泰半导体有限公司
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  • 浙江晶泰
    参考报价:电议
    型号:YTC100B-MCZ电子级单晶炉
    产地:浙江
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  • 详细介绍:


    炉室资料Puller Data
    坩埚直径 Crucible  diameter:18〞- 22〞
    单晶直径 Crystal diameter:6〞- 8〞(150-200mm)
    装料量 Charge size:60-90kg
    喉管直径 Throat Diameter:14 ”(356mm)
    主炉膛内径 Main furnace Diameter:¢1000mm
    主炉膛高度 Main furnace Height:1250mm
    炉门开口尺寸 Pull Chamber Door Opening:15”×82”(380mm×2082mm)
    主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 l/min)
    辅助真空泵抽速 (Recommended) Aux:60 cfm (1700 l/min)
    排气方式 Exhaust:底排气 Exhaust end
    副室类型 Deputy room type:全开门 Full-door
    炉盖类型 Lid Type:穹顶 Dome
    磁场类型 Field type:勾型、水平型(可选) hook type, horizontal type (optional)
    有导流筒提升、激光测距、CCD控径
    There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
    可提供二次加料 providing secondary feed

    坩埚驱动单位 Crucible drive unit
    提升速度 Lifting speed:  0-10 in/hr (0-254mm/hr)
    *快提升速度 Crucible Jog Speed: (>250mm/min)
    行程 Stroke:  18〞(457mm)
    转速 Rotation speed: 0-20 rpm(可逆)

    晶驱动单位 Crystal drive unit
    提升速度 Lifting speed: 0-20 in/hr (0-508mm/hr)
    快速提升速度 Seed Jod Speed: 20 in/min (508mm/min)
    转速 Rotation speed: 0-50 rpm(可逆)

    厂务要求Utilities
    电源电压(Source Voltage) :380V±10%
    频率 (Frequency):50/60 Hz
    加热功率 (Heating Power):IGBT 165KW底部加热50KW
    环境温度(Ambient Temperature):5~40
    相对湿度(Relative Humidity):<70%
    入口端**水温 (Maximum Inlet Temperature):77°F (25℃)      
    *小流量(Minimum Flow Rate):78 gpm (295 l/min) total
    入口出口压力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1kg/cm²)  
    主氩气流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
    吹扫流量 (Purge Flow):100 slpm
    合计(Facility Total):300 slpm
    推荐压力 Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3kg/cm²)
    压缩空气(Air)
    推荐压力 Recommended Supply Pressure:90psi (6.3kg/cm²)

    控制系统System Control
    自动过程 Automatic process
    标准PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard

    外形尺寸Dimensions(approx.)
    总高度 (closed):6433mm
    宽 Width (W):2200mm
    深 Depth (D):2368mm