◆ 设备采用TSSG法长晶，可获得更高质量的晶体；

◆ 配备CCD晶体直径监测系统、厚度监测系统，实时监测晶体生长状态以提升长晶效率；

◆ 配合扩径工艺，可实现大尺寸碳化硅单晶生长，同时可获得高载流子浓度的P型碳化硅单晶。