◆ 设备具有大尺寸、高抽速的真空设计；
◆ 配备先进的液面距测量、宽幅炉压精确控制、氧化物处理等系统；
◆ 生长晶体可满足12英寸重掺硅片、12-18英寸硅单晶耗材指标的要求。