该装备是将石墨制品、碳毡或SiC粉体等通过高温焙烧和工艺气体定向流动，经过物理扩散、化学反应使杂质元素从基体中排出，形成灰分含量低（5ppmw）、金属含量降到PPB数量级，从而达到半导体晶体生长对石墨品质（或粉体原料）要求的工艺过程。 
技术参数
       **温度： 2500℃     常用工作温度：2200℃
       温度均匀度：≤±5℃   仪表控温精度：±1℃
       抽真空时间：≤120min