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4英寸半绝缘型衬底
报价:面议
品牌: 天科合达
产地: 北京
关注度: 81
型号: 4英寸半绝缘型衬底
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产品介绍

4英寸半绝缘型衬底

技术成果

零微管密度控制技术

单一晶型控制技术

包裹物控制技术

电阻率控制技术

杂质调控技术

衬底台阶宽度控制技术

直径99.5 mm-100.0 mm
晶型4H
厚度500 μm±15 μm
晶片方向无偏转角度:向<0001>偏转 ± 0.5° 
微管密度≤ 1 cm-2
电阻率≥ 1 E10 Ω·cm
主定位边方向{10-10} ±5.0°
主定位边长度32.5 mm ± 2.0 mm
次定位边长度18.0 mm ± 2.0 mm
次定位边方向硅面朝上:从主定位边顺时针旋转 90° ± 5.0° 
边缘去除3 mm
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm
表面粗糙度抛光 Ra≤ 1 nm
CMP Ra≤ 0.2 nm
边缘裂纹(强光灯观测)——
六方空洞(强光灯观测)累计面积 ≤ 0.05%
多型(强光灯观测)——
目测包裹物(日光灯观测)累计面积 ≤ 0.05%
硅面划痕(强光灯观测)——
崩边(强光灯观测)不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm
硅面污染物(强光灯观测)——
包装多片卡塞/单片盒包装


半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料,经过异质外延生长、器件制造等环节,可制成碳化硅基射频器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对4英寸产品的需求,公司为国内外客户批量提供具有高性价比的4英寸半绝缘型衬底产品。

下游产品与应用

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,通过晶圆制造、封装检测,可进一步制成微波射频器件,主要应用于射频领域,例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等。


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北京天科合达半导体股份有限公司为您提供天科合达4英寸半绝缘型衬底,4英寸半绝缘型衬底产地为北京,属于耐磨衬板,除了4英寸半绝缘型衬底的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供SiC单晶生长炉、清洗、返抛、莫桑钻。
工商信息
企业名称

北京天科合达半导体股份有限公司

企业类型

信用代码

91110108792101765W

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