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8英寸导电型衬底
报价:面议
品牌: | 天科合达 |
产地: | 北京 |
关注度: | 12 |
型号: | 8英寸导电型衬底 |
产品介绍
产品概述
导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料,经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,可制成碳化硅基功率器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料。
8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品。8英寸产品质量与6英寸相当,未来公司将根据客户实际需求,同步扩大8英寸衬底生产规模,并有效降低生产成本,推动8英寸衬底不断向前发展。
下游产品与应用
碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,适用于高温、高压、大电流等工作环境,广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。
直径 | 199.5 mm -200.0 mm | |
晶型 | 4H | |
厚度 | 500 μm±25 μm | |
晶片方向 | 向<11-20>偏转4.0°±0.5° | |
微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
电阻率 | 0.015-0.025 Ω.cm | |
Notch晶向 | {10-10} ±5.0° | |
边缘去除 | 3 mm | |
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤5 μm/≤10 μm/±35 μm/70 μm | |
表面粗糙度 | 抛光 Ra ≤ 1 nm | |
CMP Ra ≤ 0.2 nm | ||
边缘裂纹(强光灯观测) | —— | |
六方空洞(强光灯观测) | 累计面积 ≤ 0.05% | |
多型(强光灯观测) | —— | |
目测包裹物(日光灯观测) | 累计面积≤ 0.05% | |
硅面划痕(强光灯观测) | —— | |
崩边(强光灯观测) | 不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm | |
穿透螺位错(TSD) | ≤ 300 cm-2 | |
硅面污染物(强光灯观测) | —— | |
包装 | 多片卡塞/单片盒包装 |
问商家
- 8英寸导电型衬底的工作原理介绍?
- 8英寸导电型衬底的使用方法?
- 8英寸导电型衬底多少钱一台?
- 8英寸导电型衬底使用的注意事项
- 8英寸导电型衬底的说明书有吗?
- 8英寸导电型衬底的操作规程有吗?
- 8英寸导电型衬底的报价含票含运费吗?
- 8英寸导电型衬底有现货吗?
- 8英寸导电型衬底包安装吗?
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北京天科合达半导体股份有限公司为您提供天科合达8英寸导电型衬底,8英寸导电型衬底产地为北京,属于耐磨衬板,除了8英寸导电型衬底的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供SiC单晶生长炉、莫桑钻、清洗、返抛。
工商信息
企业名称
北京天科合达半导体股份有限公司
企业类型
信用代码
91110108792101765W
法人代表
注册地址
成立日期
注册资本
有效期限
经营范围