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6英寸SiC导电型衬底晶锭
报价:面议
品牌: 世纪金芯
产地: 安徽
关注度: 340
型号: 6英寸SiC导电型衬底晶锭
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产品介绍

6英寸SiC导电型衬底晶锭规格书

项目

性能

参数

 

晶体参数

 

表面晶向

Surface orientation

 

4.0°  toward [11-20]± 0.5°

 

4H晶型面积

areas

 

100%

 

边缘多晶

Edge polycrystal

 

机械参数

直径(mm)

Diameter

150±0.1

参考面方向

Primary flat orientation

 

<11-20>±5.0°

参考面长度(mm)

Primary flat length

 

47.5±1.5

电学参数

电阻率  (2 · cm)

Resistivity

0.01-0.03

掺杂剂

Dopant

N型掺氮

缺陷参数

微管密度(个/cm2)

Micropipe Density

≤0.5

基平面位错BPD(个/cm2)

≤7000

表面质量

裂纹

Cracks


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合肥世纪金芯半导体有限公司为您提供世纪金芯6英寸SiC导电型衬底晶锭,6英寸SiC导电型衬底晶锭产地为安徽,属于定制加工件,除了6英寸SiC导电型衬底晶锭的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供6英寸SiC导电型衬底单晶片。
工商信息
企业名称

合肥世纪金芯半导体有限公司

企业类型

信用代码

91340100MA2UF26X3E

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