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碳化硅单晶生长炉

报价：面议

品牌：	哈尔滨科友
产地：	黑龙江
关注度：	507
型号：	碳化硅单晶生长炉

核心参数

非金属电热元件：其他

金属电热元件：其他

烧结气氛：其他

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氮化铝晶体生长炉

碳化硅晶体生长炉

4-6英寸N型碳化硅衬底及籽晶

产品介绍

一、生产对象：

生产六英寸碳化硅晶体

二、炉体结构：

石英管炉，石英管内径400mm以上；抽空管道材质304；机架及门板材质为铝合金等满足结构强度的材料；线圈内径≥420mm; 表面带绝缘涂层处理

三、底座结构：

需装载架承载热区，并可由合适的装载卸载设备从底部进行装载或卸载。

四、设备参数：

加热系统：	6英寸线圈	进气阀（控制）：	2个；工艺氩气流量1100Sccm；氮气流量55Sccm；
工作温度：	满足2650°C以内工艺要求；有效加热功率≥40KW	中频感应电源：	额定功率≥40KW，电流精度0.05%，谐振频率（kHz）10-12KHz单高温计配制，上测温，仅用于温度监视。测量范围包括1000℃~3000℃，测温精度 ±0.5%F.S.，测温重复精度±2℃；测温仪采用FLUKE E1RH系列红外高温计通气 150sccm Ar 时工艺控压(P)的精度：1500Pa以下的控压精度：目标值±20Pa，1500Pa至10000Pa的控压精度：目标值±50Pa
线圈和坩埚相对位置移动系统：	可以实现慢速0.02～10㎜/h，快速≥100㎜/min的相对位置移动动作，升降系统需带上下限位。使用机械泵加分子泵实现真空。	控制系统：	全自动控制系统，实现整个长晶过程的全自动控制；采用功率控制模式。
冷态或空炉时包括放气率的总漏率：	≤5.0E-9mBar·L/s ；极限真空下，保压12h，压升≤5Pa。	控制系统数据和权限管理：	可对长晶过程中的关键数据进行实时记录并存档，可追溯分析；直观液晶显示的人机交换界面，拥有用户登录及账户管理系统，为方便生产管理，可为不同的账户分配不同的权限。
工艺气体流量测量控制器（MFC）：	2个或以上;流量计精度±0.25％F.S.(＜35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.)	装料量要求及结构承重：	下炉盖及升降系统能承重48公斤或以上重量。
工艺气体流量控制系统：	Ar和N2可按工艺节点设定，进行全自动坡度调节。	出炉/进炉方向：	下出料。