CNT高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器，均温区200mm、对开式结构;

4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作;

5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、真空系统采用分子泵机组;

7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;

8、可选配RF射频电源模块;

9、气体种类： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6

10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制.

11、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。

技术参数