功能

• 氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积

• 适用于功率半导体/衬底材料 

重要参数

• **晶圆尺寸：8寸及以下晶圆

• **载片量：125片/批

• **加热温度：1050℃

• 成膜种类：根据不同工艺要求工艺源可选配 

装卸片方式

• 立式垂直升降

• 垂直真空密封系统 

• 先进的压力控制技术

• 五区高精度温度场控制

• 先进的颗粒控制技术

• 先进微环境氧含量控制

• 稳定的传输控制能力