滨松光子学商贸(中国)有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:日本
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  • 详细介绍:


    倒置微光显微镜iPHEMOS系列

    该仪器设计紧凑,高度仅为80cm,因此可与多种测试机方便地对接。其配备的高灵敏度InGaAs相机以及多种激光选配件扩大了其动态分析的范围。

    特性

    • 高精度级的多相机平台

    • 灵活的系统设计

    • 多种探测器,可观测低压工作IC

    • 倍率从1×到100×,多种镜头可选(可选配10镜头转台)

    • 背面观测探针可测量从整个300mm晶片到单个die的范围

    • 简化了测试机头对接,便于动态分析

    • 用户友好型操作系统

    • 易于升级,有利于后期应用

    • 高分辨率模板图像

    选配

    高分辨率、高灵敏度观测用纳米透镜

    使用纳米透镜可增加数值孔径,显著提高分辨率和光采集效率。这样可以减少探测时间,却可以提供更好的分辨率。

    红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析功能

    极受欢迎的红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析功能可作为选配增加到仪器中,来探测漏电流或静态电流缺陷(leakage or IDDQ defects)等的线缺陷

    使用数字lock-in组件,可提高IR-OBIRCH分析的探测功能

    软件提供的数字lock-in功能即使是很短的图像采集时间,也可以保证获得比模拟lock-in更清晰和锐利的图像。

    激光辐射的动态分析功能

    使用激光束照射,来观测器件工作中的状态变化(通过或者失败),以分析功能缺陷

    序列测量软件

    通过使用者执行一套流程,该功能可自动进行微光/IR-OBIRCH观测。连接半自动探针后,微光/IR-OBIRCH图像可按照序列测量并保存。连接大规模集成电路测试机或者外部电源也可以进行测量。

    EO探针单元C12323-01

    EO探针单元是一款工具,通过使用非连续光源,透过硅基底来观察晶体管状态。

    配置

    参数

    产品名称iPHEMOS-SD
    尺寸/重量*1主单元:805 mm (W)×915 mm (D)×1180 (775*2) mm (H), Approx. 500 kg*2

    控制台:880 mm (W)×1000 mm (D)×1775 mm (H), Approx. 200 kg

    *1:重量因配置不同而改变。

    *2:高度等于iPHEMOS-SD上样品边缘的高度。