香港电子器材有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:美国
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  • 详细介绍:


    PMGI & LOR负光刻胶使能高产,广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶,在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化(<0.25μM),以及非常厚(>4μm)金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。

    PMGI & LOR的特性:

    1)高分辨,可用于 <0.25 μm Lift-off 工艺

    2)undercut 结构可控,溶解速率易于调节

    3)在Si,NiFe,GaAs,nP和其它III-V材料上有良好的粘附力

    4)与 g-, h-,i-line,DUV,193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容

    5)良好的耐热稳定性

    6)去胶容易,剥离干净

    应用:金属电梯加工,桥制造,释放层

    PMGI & LOR属性

    1)覆盖在成像抗蚀剂不会混杂

    2)在TMAH双叠层一步发展,或KOH开发

    3)高热稳定性:Tg ~190 C

    4)快速清除和常规抗剥离干净

    5)0.25μm微米双层抗蚀成像

    6)产量高,可用于很厚(>3μm)金属剥离处理

    加工环境:

    温度:20-25°± 1°C

    湿度:35-45% ± 2%

    相关溶液:

    显影液:101 Developer

    去胶剂:Remover PG

    稀释液:G Thinner

    一般储存温度:

    4-27°C