AMPTEK INC.
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:美国
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  • 详细介绍:


    XR-100SDD型X射线硅漂移探测器

    125eV的能量分辨率!

    采用电冷技术;无需液氮!


    1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5

    2. 硅漂移探头元件示意图

    XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头,前置放大器(前放)和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境,而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路,这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右,并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装,并利用不透光和不透气(真空封装适用)的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。

    XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能,它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。

    产品特性:

    1. 高计数率:500,000 CPS(每秒计数, counts per second);

    2. 能量分辨率:125eV(半高全宽,FWHM,对应峰值为5.9keV的情况);

    3. 高峰本比:20,000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ;

    4. 面积25mm2,厚度500µm;

    5. 内置多层准直器;

    6. 不需要液氮制冷。

    应用范围:

    1. X射线荧光分析;

    2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪;

    3. OEM和其他专业应用;

    4. 生产工艺流程反馈控制;

    5. 高校和科研院所实验室研究;

    产品参数:

    本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。

    I. 高能量分辨应用:

    1. 超高能量分辨率:125eV(对应峰值为5.9keV的情况);

    2. 峰化时间(Peaking time):11.2µs;

    3. 计数率:100,000 CPS;

    4. 峰本比:,20,000:1;

    II. 快速峰化应用:

    1. 能量分辨率:155eV(对应峰值为5.9keV的情况);

    2. 峰化时间(Peaking time):0.8µs;

    3. 计数率:500,000 CPS;

    III. 手持设备应用:

    1. 能量分辨率:150eV(对应峰值为5.9keV的情况);

    2. 峰化时间(Peaking time):3.2µs;

    3. 探测器探头温度保持在250K(-24oC)

    4. 计数率:200,000 CPS;

    XRF设备由此开始 ... ...

    3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱


    产品说明

    XR-100SDD型硅漂移探测器(SDD)是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器,它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小,性能优越且价格便宜等特点,是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择;而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率,可以满足各种参数需求;另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳,方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。

    硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似,但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。

    同样的探头面积下,硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多,则所需成型时间变短,电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同(较高)的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上,探测器中的电极结构是特制的。


    产品参数

    常规参数
    探头类型硅漂移探测器(SDD)
    探头尺寸25mm2
    硅晶体厚度500μm
    准直器内置多层准直器(ML)
    能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化时间)
    峰本比(Peak to Background)20,000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的
    铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)
    电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器
    增益稳定性(温飘)<20ppm> oC (一般情况下)
    外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm
    重量4.4 ounces (125g)
    总功率<1W
    保修期一年
    产品寿命五到十年,因具体应用而异
    环境温度0~+50oC
    仓储和物流要求长时间仓储:干燥条件下存放十年以上

    仓储/物流需求:-20到+50 oC,10%到90%湿度(无冷凝器)

    TUV Certification

    Certificate #: CU 72072412 02

    Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05

    CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004

    输出参数
    前置放大器电源电压正负8到9V,电流15mA,噪声峰峰值小于50mV
    探头电源电压-90到-150V,电流25μA;

    输入需要非常稳定:<0.1%的波动。

    制冷器电源**电压3.5V,**电流350mA,噪声峰峰值小于100mV;

    注意:XR-100SDD探测器自身包含温度控制器

    输出参数
    前置放大器灵敏度一般为1mV/keV(不同探测器可能略有不同)
    前置放大器极性正脉冲信号输出(**负载为1k欧姆)
    前端放大器反馈复位
    温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度(单位:开尔文)
    可选配置或配件
    X-123SDD

    硅漂移探测器(SDD)也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头,前置放大器,DP5数字脉冲处理和多道分析模块,以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。

    包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品

    真空配件和所有Amptek真空配件兼容
    OEM和所有Amptek OEM配件兼容

    注意事项:

    1. 硅漂移探测器需要负高压,而前放输出为正脉冲

    这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压,而前方输出为负脉冲正好相反;

    2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块,则PX5必须设置为负高压输出

    在使用XR-100CR探测器时,因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内

    而使用XR-100SDD探测器时,因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内


    准直器的使用

    为提高能谱测量的质量,绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。

    探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号,进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围,降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内,这就避免了噪声信号的产生。

    不同类型的探测器中准直器的应用各有优点:提高峰本比(P/B);消除边界效应;消除假尖峰信号。


    真空环境中的应用

    XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作,而真空环境应用有如下两种方案:

    1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部:

    a. 为保证XR-100SDD的正常工作,需避免器件过热,并做好输入的1W功率的良好导热;即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔,根据具体真空室位形设计散热,将器件热量传导到真空室壁上;

    b. 在CF(Conflat Flange)刀口法兰上利用可选的真空馈通端子(如9DVF型,九接口)连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。

    2) XR-100SDD全部置于真空室外:需利用可选的真空探测器延长组件(如EXV9型加长管,长9英寸)和标准CF刀口法兰窗口(通过O圈密封)配套。

    图4. 真空条件使用中可选的延长组件

    图5. 高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用(定制法兰,4个SDD探测器)


    其他系统说明及性能曲线

    图6. SDD的能量分辨率和峰化时间曲线

    图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比

    图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线(SDD配套DP5使用)

    该图也表示了**输出计数率曲线(黑色虚线)。而系统工作参数在该曲线右边区域时,尽管输入计数率很高,但输出计数率仍会小于**值,具体情况见下图9。

    图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线(输出效率)

    由于SDD探测器具有更小的电容,在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形时间,这极大提高了系统的输出效率。

    图10. 使用SDD得到的55Fe能谱

    图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线

    图12. 综合考虑铍窗(及保护膜)的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。

    曲线的低能量部分由铍窗厚度决定(0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm),而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定:500μm。

    传输效率文件:包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件,仅提供基本信息,不能作为定量分析依据。


    SDD应用中的各种能谱图

    利用高性能硅漂移探测器(Super SDD)和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱:

    图13. SS316型不锈钢

    图14. PVC样品(RoHS/WEEE标准)

    图15. CaCl2溶液(800ppm Ca, 1200 ppm Cl)

    图16. 含有少量KCl的原油(1100ppm)中的S元素

    图17. 汽车催化剂

    图18. 铂金(Pt)戒指


    完整的X射线荧光谱仪(XRF)系统

    图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器

    完整的XRF系统包括:

    1. XR-100SDD型硅漂移探测器;

    2. PX5型数字脉冲处理器,多道分析器及电源;

    3. Mini-X型USB控制X射线管;

    4. XRF-FP定量分析软件;

    5. MP1型XRF系统安装平台。


    更多信息请关注AMPTEK英文官方网站:。