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参考报价：电议 型号：
产地：日本 在线咨询
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利用具有高耐用性、SiC膜和清晰形状的Ta X射线吸收体的FZP能生产坚韧、高精确、清晰的产品。
NTT-AT公司的FZP因其高质量而在世界上被广泛用于产品生产。
NTT-AT公司的由SiC膜和Ta吸收体图案组成的菲涅耳波带板（FZP）具有出色的高耐X射线辐射性、高分辨率和高对比度。
只有NTT-AT公司提供基于SiC膜的菲涅耳波带板（FZP）具有出色的高耐X射线辐射性。NTT-AT的FZP由干法蚀刻的Ta组成。吸收体图案清晰，S/N比高，成像缺陷少， 能理想地应用于X射线显微镜、X射线微光束辐射和X射线成像。
另外，还提供用于软X射线和极紫外（EUV、XUV）领域的Ta图案／SiN膜型FZP和Au板图案／SiN 膜型FZP。并提供台阶式（基诺全息照片）FZP。
能用于X射线显微镜、EUV显微镜、X射线微光束辐射和同步加速器辐射光束监视等各种X射线应用。
出色的高耐X射线辐射性
*小区域宽度达25纳米
可定制FZP
| 型号 | 宽高 比 | 膜 材料 | 膜 厚度 （微米） | ΔRn （纳米） | D （微米） | N | Tm （纳米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FZP-S38/84 | 4.2 | SiN | 0.15 | 38 | 84 | 550 | 160 |
| FZP-S50/80 | 5 | SiN | 0.2 | 50 | 80 | 400 | 250 |
| FZP-S40/155 | 5 | SiN | 2 | 40 | 155 | 970 | 200 |
| FZP-S50/330 | 8 | SiN | 1 | 50 | 330 | 1，650 | 400 |
| FZP-S86/416 | 8 | SiN | 2 | 86 | 416 | 1，200 | 700 |
| FZP-100/155 | 8 | SiN | 2 | 100 | 155 | 388 | 800 |
| FZP-173/208 | 5.8 | SiN | 2 | 173 | 208 | 300 | 1，000 |
| FZP-200/206 | 8 | SiN | 2 | 200 | 206 | 255 | 1，600 |
| FZP-C234/2500 | 0.6 | SiC | 0.2 | 234 | 2，500 | 2，670 | 150 |
※规格可能会变更，恕不预先通告。
Rn：*外区域宽度
D：直径
N：全区域
Tm：Ta厚度
可按要求定制设计FZP，满足用户的特殊X射线能量、光学设置和聚焦、图像性能。如果本公司的标准产品商品目录中没有所需的产品，
图案示意图 （φ2.5mm）（光学显微镜） | 以对角观察的SEM图 （SEM） |
二进制型 | 台阶（基诺全息照片）式 |
| *小区域宽度（*外区域） | 25纳米 |
|---|---|
| **直径 | 5毫米 |
| 膜材料 | SiN， SiC |
| 膜厚度 | 0.2至2微米 |
| 吸收体材料 | Ta |
| 吸收体厚度 | 0.1至2微米 |
| Si基板形状 | 10平方毫米 |
| Si基板厚度 | 1毫米 |
※我们可与用户商讨不同需求。
菲涅耳波带板（FZP）直径：250微米，Ta厚度：125纳米，*外区域宽度：25纳米，膜：SiC 2.0微米
菲涅耳波带板（FZP）直径：100微米，Ta厚度：2.5微米，*外区域宽度：250纳米，膜：SiN 2.0微米
菲涅耳波带板（FZP）直径：100微米，Ta厚度：4.0微米，*外区域宽度：400纳米，膜：SiC 2.0微米
菲涅耳波带板（FZP）中间区域的SEM 图：台阶（基诺全息照片）式菲涅耳波带板（FZP）、Ta图案
