北京恒奥德仪器仪表有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:北京
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    1:便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号:KDK-KDY-1A

    概述

    便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。

    本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定。

    它主要由电器测量部份(主机)及四探头组成,需要时可加配测试架。

    为减小体积,本仪器用同一块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由高精宽的恒流源提供,随时可进行校准,以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分先材料也可以用来作产品检测。对1~100Ω•cm标准样片的测量瓿差不超过±3%,在此范围内达到国家标准机的水平。

    测量范围:

    可测量 电阻率:0.01~199.9Ω•cm。

    可测方块电阻:0.1~1999Ω/口

    当被测材料电阻率≥200Ω•cm数字表显示0.00。

    (2)恒流源:

    输出电流:DC 0.1mA~10mA分两档

    10mA量程:0.1~1mA 连续可调

    10mA量程:1mA ~10mA连续可调

    恒流精度:各档均优于±0.1%

    适合测量各种厚度的硅片

    (3) 直流数字电压表

    测量范围:0~199.9mv

    灵敏度:100μv

    准确度:0.2%(±2个字)

    (4) 供电电源:

    AC:220V ±10% 50/60HZ 功率8W

    (5) 使用环境:

    相对湿度≤80%

    (6) 重量、体积

    重量:2.2 公斤

    体积:宽210×高100×深240(mm)

    (7)KD探针头

    压痕直径:30/50μm

    间距:1.00mm

    探针合力:8±1N

    针材:TC

    2:·数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号:KDK-LT-100C

    为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。

    该设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年,积累了丰富的使用经验,经过数次全国十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟可靠的测试方法,特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,制样简便。
    KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点:
    1、可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
    2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。
    3、配备软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。
    4、配置两种波长的红外光源:
    a、红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
    b、短波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
    5、测量范围宽广
    测试仪可直接测量:
    a、研磨或切割面:电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。
    b、抛光面:电阻率在0.3~0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。

    寿命可测范围 0.25μS—10ms

    温馨提示:以上产品资料与图片相对应。