扩散炉、低压化学气相沉积设备(LPCVD)

产地：韩国；

有单管和双管两个不同的型号，用于科研或者小规模生产。

性能和特点：

- 温度范围：500 ~ 1000摄氏度；

- 气体混合能力(带有质量流量计)；

- 真空范围：~ 10^-6 Torr；

典型应用：

- 无应力氮化硅；

- LPCVD；

- 退火；

- 氧化；

- 其他...