仪器简介：电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta， W， Mo， Rh， C， B， Pt， Al2O3， ZnO， Pr2O3…

技术参数：

1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；

2. 极限真空度：≤5×10-7托；

3. 电子枪功率： 6千瓦可调；

4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；

5. 可蒸发金属膜Al，Ti，Pt，Au，Ag，Cu，NiCr等；

6. 膜厚度误差 ≤±5%，膜厚均匀性误差 ≤±5% 。

主要特点：

1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。

2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中**限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。

3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。

4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。

参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆石墨烯研究院；