上海载德半导体技术有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:美国
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  • 详细介绍:


    技术规格:

    - 多矩形阴极;

    - 射频或直流溅射(RF, DC);

    - 基底尺寸:30cm x 40cm;

    - 沉积时衬底振荡;

    - 常用于ITO, AZO等膜层的沉积;

    - 均匀性:优于5% (沉积TCO或金属薄膜);