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产地：加拿大 在线咨询
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Si棱镜
光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率，其电阻率比大多数半导体的都高。 更高的电阻率材料可客户定制，特别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ，其在9μm具有Si-O吸收带，因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口，则此性质不重要。 如果需要FZ，可以提供没有这种吸收的浮区材料。
硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。
硅通过Czochralski拉伸技术（CZ）生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况，硅可以通过浮区（FZ）工艺制备。 光学硅通常轻掺杂（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段**透射。 硅具有30至100um的另一通带，其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼（p型）和磷（n型）。
详细参数：
透射范围：1.2?15μm（1）
折射率： 3.4223 @5μm（1）（2）
反射损耗： 46.2％（5μm）（2个表面）
吸收系数： 0.01cm -1 at 3μm
吸收峰： n / a
dn / dT： 160×10-6 /℃（3）
dn /dμ= 0： 10.4μm
密度： 2.33g / cc
熔点： 1420℃
热导率： 273.3W m-1 K-1
热膨胀： 2.6×10 -6 /℃at20℃
硬度： Knoop 1150
比热容： 703JKg-1K-1
介电常数： 13 at 10GHz
杨氏模量（E）： 131GPa（4）
剪切模量（G）： 79.9GPa（4）
体积模量（K）： 102GPa
弹性系数： C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）
表观弹性极限： 124.1MPa（18000 psi）
泊松比： 0.266（4）
溶解性：不溶于水
分子量： 28.09
类别/结构： 立方钻，Fd3m
折射率：
No = Ordinary Ray
μm | No | μm | No | μm | No |
1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
11.04 | 3.4176 |
订购信息：
Product Code SIFZPRISM25.4-BREW
IR Polished Silicon (Si) brewster angle prism
25.4 x 14 x 18mm brewster angle (73.98°) prism.
