筱晓(上海)光子技术有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:加拿大
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  • 详细介绍:


    MP5522型系列盖革模式InGaAs 单光子雪崩光电二极管

    2 产品特性The features

    专为单光子探测应用设计,盖革模式工作

    响应光谱范围1000nm-1650nm

    2 应用领域Applications

    量子通信

    时间相关单光子计数

    光时域反射计

    3D 成像

    激光测距

    DNA测序

    光学相干层析

    荧光检测及其光谱分析

    光电性能The opto-eletronic characteristics

    静态参数(@Tc=22±3℃

    特性参数Parameters

    符号

    Sym.

    测试条件Test conditions

    *小Min

    典型Typ

    **

    Max

    单位

    Unit

    光谱响应范围

    Response Spectrum

    λ

    10001650

    nm

    响应度

    Reponsivity

    Re

    λ=1.55μmVR=VBR-2Vφe=1μw

    10

    14

    A/W

    反向击穿电压

    Reverse breakdown voltage

    VBR

    ID=10mATc=22℃

    65

    75

    V

    工作电压温度系数

    Operating voltagetemperature coefficient

    γ

    Tc=-60+30℃ID=10mA

    0.1

    V/℃

    暗电流

    Dark current

    ID

    φe=0μwVR=VBR-2V

    3.0

    nA

    结电容

    Total capacitance

    Ctot

    1MHzVR=VBR-2V

    0.2

    pF

    盖革模式下性能参数

    参数

    Parameter

    测试条件

    Test conditions

    MP5512Y/MP5522Y

    MP5513Y/MP5523Y

    单位

    Unit

    *小值 Min

    **值 Max

    *小值 Min

    **值 Max

    暗计数率(DCR)

    fgate=50kHzTgate=10nsSPDE=10%

    10

    3

    kHz

    单光子探测效率(SPDE)

    fgate=fpulse=50kHzTgate=10ns, DCR=10kHzλ=1.55μm,

    0.1 photon per pulse

    10

    20

    %

    后脉冲概率(APP)

    @2us, fpulse=50kHzTgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm,

    0.1 photon per pulse

    2

    2

    %

    测试条件补充说明:

    1 MP5512Y/MP5522Y测试温度为TA= -35℃MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43℃

    2过偏压Vob范围:1.0~2.0V

    3直流工作电压Vdc范围:(Vbr-1V)~(Vbr-2V)

    以上数据仅供参考,用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件。

    2 **额定值Maximum ratings

    参数

    条件

    *小值

    **值

    单位

    正向电流

    Forward current

    连续方式

    1

    mA

    正向电压

    Forward voltage

    连续方式

    1

    V

    反向电流

    Reverse current

    连续方式

    1

    mA

    反向电压

    Reverse voltage

    连续方式

    Vbr+5

    V

    脉冲方式

    Vbr+10

    入射光功率Optical Power

    连续方式

    (CW)

    1

    mW

    贮存温度

    storagetemperature

    -55

    85

    2 典型特性曲线The typical characteristical curve

    Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%

    1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时,温度对暗计数率和后脉冲概率的影响

    Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y

    2 MP5522Y/MP5512Y光电流-暗电流曲线

    2 封装外形及尺寸The package

    1. MP5512Y/MP5513Y

    2. MP5522Y/MP5523Y

    2 引脚定义

    管脚

    符号

    功能定义

    1

    P

    Panode

    2

    G

    Case Ground

    3

    N

    N (cathode)

    2 注意事项The cautions

    该器件需要温度反馈工作电压控制

    This device needs feedback of voltage temperature when operating.

    贮运、使用注意静电保护措施

    The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage, transporting and using.

    光纤弯曲半径不小于20mm

    The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.

    使用前保证光纤连接处洁净

    Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.