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产地:日本 在线咨询
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热电性能分析系统 ZEM-5
说明:此产品售前技术交流服务和售后技术服务由北京柯锐欧科技负责,确保国内用户享受到*专业的技术支持!
技术特点:
适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料,提高测量精度
温度检测采用C型热电偶,*适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
真正可测基板上的纳米级薄膜(TF型)
**可测10MΩ高电阻材料
标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF | |
特 点 | 高温型 | 高电阻型 **电阻:10MΩ | 低中温型 | 薄膜型 可测在基板上形成的热电薄膜 |
温度范围 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
样品尺寸 | 直径或正方形:2 to 4 mm2 ; 长度3 ~ 15mm | 成膜基板:宽2-4mm,厚0.4-12mm,长20mm 薄膜厚度:≥nm量级 薄膜样品与基板要求绝缘 | ||
控温精度 | ±0.5K | |||
测量精度 | 塞贝克系数:<±7%; 电阻系数:<±7% | |||
测量原理 | 塞贝克系数:静态直流电; 电阻系数:四端法 | |||
测量范围 | 塞贝克系数:0.5μV/K_25V/K;电阻系数:0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞贝克系数:10nV/K;电阻系数:10nOhm | |||
气 氛 | 减压He |