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产地：德国 在线咨询
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产品简介 >> THz近场扫描成像系统原理简介
Eachwave推出的低温砷化镓光电导太赫兹近场探针系列是新一代的高性能光电导型微探针，利用此太赫兹近场探针，样品表面的近场太赫兹电场可被以被**的分辨率测量，信号质量好，噪声低。这些太赫兹探针可以无缝的与激发波长低于860nm的THz-TDS系统配合使用。THz近场探针提供了一个低成本的解决方案，可将您的THz-TDS升级为高分辨率的太赫兹近场扫描成像系统。
产品特点：
— 市场上*小的太赫兹近场探针
— **设计
— 空间分辨率可达3um
— 探测频率范围：0-4THz
— 适用于所有基于激光的THz系统
— 安装可兼容标准的光机械组建
— 集成过载保护电路
横向场太赫兹近场探针
横向场太赫兹近场探针规格参数
| TeraSpike TD-800-X- | HR | HRS |
| *小空间分辨率 | 3um | 20um |
| PC gap size | 1.5um | 2um |
| 暗电流 @1V 偏置电压 | <0.5nA | <0.5nA |
| 光电流 | >1uA | >0.6uA |
| 激发波长 | 700..860mW | |
| 平均激发功率 | 0.1-4mW | |
| 接头类型 | SMP | |
纵向场太赫兹近场探针
纵向场太赫兹近场探针规格参数
| TeraSpike TD-800- | A-500G | N |
| **空间分辨率 | 8 um | 8 um |
| PC gap size | 5 um | 2 um |
| 暗电流 @1V 偏置电压 | <0.4 nA | <0.4 nA |
| 光电流 | >0.5 uA | >0.1 uA |
| 激发波长 | 700..860mW | |
| 平均激发功率 | 0.1-4mW | |
| 接头类型 | SMP | |
反射式太赫兹近场探针
反射式太赫兹近场探针是一款收发一体化的太赫兹近场探针产品。探针具有双天线结构，此结构极大的缩短了太赫兹的传输路径，可有效的应用于太赫兹近场时域谱测试以及成像测试系统中。
时域谱测试
反射式太赫兹近场探针结构
反射太赫兹近场探针测试样例
反射式太赫兹近场探针规格参数
| 型号 | 暗电流@1V偏压 | 光电流 | 激发波长 | 平均激发功率 | 链接头 |
| TeraSpike TD-800-TR.5 | < 1.5nA | > 0.5uA | 700-860nm | 0.1-4mW | 2×SMP |
适用于1550nm波长的太赫兹近场探针
规格参数
| 型号 | 脉冲上升时间 | 带宽 | 激发波长 | 激发功率 | 悬臂材料 |
| TeraSpike TD-1550-Y-BF | <1ps | 0.01-2.5THz | 700-1600nm | 0.1-4mW | InGaAs(n-type) |
应用案例
THz 近场探针结构示意图
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