迈可诺技术有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:美国
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  • 详细介绍:


    光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR

    光谱椭偏仪可配置从DUVNIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜,如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常仅为约12nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时,深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然,如果必须确定光学常数,则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置,如波长分辨率,角度范围等,将根据所需的应用进行考虑。

    光谱椭偏仪特征:

    •基于Window软件,易于操作;

    •先进的光学设计,实现zui佳系统性能;

    •高功率DUV-VIS-NIR光源,适用于宽带应用;

    •基于阵列的探测器系统,确保快速测量;

    •用户可以根据需要定义任意数量的图层;

    •能够用于实时或在线厚度,折射率监测;

    •系统配有全面的光学常数数据库;

    •高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表,色散或有效介质近似(EMA);

    •三种不同的用户级别控制:工程师模式,系统服务模式和简易用户模式;

    •灵活的工程模式,适用于各种配方设置和光学模型测试;

    •强大的一键式按钮解决方案,用于快速和常规测量;

    •可按照用户偏好配置测量参数,操作简便;

    •系统全自动校准和初始化;

    •直接从样品信号获得精确的样品对齐接口,无需外部光学元件;

    •精确的高度和倾斜程度调整;

    •适用于许多不同类型的不同厚度的基材;

    •各种选项,附件可用于特殊配置,如绘图阶段,波长扩展,焦点等;

    2D3D输出图形以及用户数据管理界面;

    光谱椭偏仪应用:

    •半导体制造(PR,氧化物,氮化物......

    •液晶显示器(ITOPRCell gap ......

    •法医学,生物学材料

    •油墨,矿物学,颜料,调色剂

    •制药,医疗器械

    •光学涂层,TiO2SiO2Ta2O5 ......

    •半导体化合物

    MEMS / MOEMS中的功能薄膜

    •无定形,纳米和硅晶圆

    •太阳能电池薄膜,CdTeCdSCIGSAZOCZTS ....

    光谱椭偏仪技术参数:

    型号

    SE200 (DUV-Vis)SE300 (Vis)SE450 (Vis-Nir)SE500 (DUV-Vis-Nir)

    探测器类型

    CCDCMOS阵列

    CCDCMOS阵列

    CCDCMOSInGaAs阵列

    CCDCMOSInGaAs阵列

    波长范围(nm

    1901100

    3701100

    370-1700

    190-1700

    波长点

    测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义(数据点仅受分辨率限制)

    波长分辨率

    0.01 -3nm

    0.01 -3nm

    0.013nm

    0.013nm

    数据采集时间

    100毫秒到10秒,用户自定义

    入射角范围

    2090

    入射角分辨率

    带手动测角仪的5度预设步骤,用于SExxx-BM配置;

    程序控制0.001度分辨率,配有自动测角仪,适用于SExxx-BA配置

    偏光光学

    旋转偏振器,分析器和/或补偿器的组合

    光束尺寸

    准直光束,光束尺寸可在15mm范围内调节光圈; 可选的聚焦光束模式(可拆卸)可用于减小光斑尺寸

    光源

    D2 + TH/

    TH

    TH

    D2 + TH/

    其他型号:

    红外光谱椭偏仪TFProbe IRSE

    光谱椭偏仪显微分光光度计 SE-MSP

    光谱椭偏仪 SE-SOLAR太阳能光伏

    光谱椭偏仪带自动监测 SE200BM,SE300BM和SE500BM

    显微分光光度计DUV-VIS-NIR MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500