Intense**的QWI技术可以增大半导体激光器的量子阱能带隙，可在同一腔内产生有源区和无源区，并在腔面形成一种无源吸收反射镜（NAMs），可有效地避免其他半导体激光器件常见的光学灾变（COMD），性能更可靠稳定。产品包括：高功率可见光和近红外半导体激光器器件和阵列，可独立寻址的半导体激光器阵列。

主要特点

·Series 5200: 635-655nm，功率1.5W-6W

·Series 5300: 670-690nm，功率2.5W-10W

·高效率耦合、轻易操作接口

·数个Series1200或Series1300联合

·应用包括光动力疗法、照明、医疗成像和诊断