Intense**的QWI技术可以增大半导体激光器的量子阱能带隙，可在同一腔内产生有源区和无源区，并在腔面形成一种无源吸收反射镜（NAMs），可有效地避免其他半导体激光器件常见的光学灾变（COMD），性能更可靠稳定。产品包括：高功率可见光和近红外半导体激光器器件和阵列，可独立寻址的半导体激光器阵列。

主要特点

·Series 7400

·635或655nm:<500mW;1.0W;2.0W

·670或690nm:<700mW;2.0W;4.0W

·可调功率、电流、温度、波长

·特征：小型化

·应用包括光动力疗法、老年黄斑变性、脉冲光脱毛、腕管综合症、塑料焊接、微焊接、低温焊接、汽车工业