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参考报价：电议 型号：
产地：日本 在线咨询
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特色
高性能电子光学系统
二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)＊
高灵敏度: 高效PD-BSD， 超强的低加速电压性能，低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于高效微区分析
性能优异
压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配备高灵敏度低真空探测器(UVD)＊
开仓室快速简单换样(**样品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微区分析: EDS， WDS， EBSD等等
*：
选配附件
规格
| 项目 | 内容 | |
|---|---|---|
| 分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 减速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 | |
| 放大倍率 | 10 - 600，000× (底片倍率)， 18 - 1，000，000× (800 × 600 像素) 30 - 1，500，000× (1，280 × 960 像素) | |
| 电子光学系统 | 电子枪 | ZrO /W 肖特基式电子枪 |
| 加速电压 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) | |
| 着陆电压 | 减速模式: 0.1 - 2.0 kV＊1 | |
| **束流 | > 200 nA | |
| 探测器 | 低位二次电子探测器 | |
| 低真空模式*2 | 真空范围: 10 - 300 Pa | |
| 马达台 | 马达台控制 | 5 - 轴自动 (优中心) |
| 可动范围 | X：0～100mm Y：0～50mm Z：3～65mm T：-20～90° R：360° | |
| **样品尺寸 | **直径: 200 mm **高度: 80 mm | |
| 选配探测器 |
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*1：
减速功能（包含高分辨率顶位二次电子探测器）
*2：
低真空功能（包含5分割半导体探测器）
*3：
空压机(本地采购)
应用案例
样品: 氧化锌粉末
着陆电压: 1 kV ; 倍率: 120，000x
低电压下顶位二次电子探测器成像
样品: PTFE
加速电压: 3 kV ; 倍率: 13，000x
UVD探测器可在低加速电压(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下获得高质量图像
