硅光电探测器（Si）

———室温型探测器，波长范围：200-1100nm

技术参数：

型号列表及主要技术指标：

技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器

进口紫外增强型 国产低暗电流型

有效接收面积(mm2) 100(Φ11.28) 100(10×10)

波长范围(nm) 200-1100 300-1100

峰值波长(nm) ------- 800±20

峰值波长响应度(A/W) 0.52 >0.4

254nm的响应度(A/W) 0.14(>0.09) -------

响应时间(μs) 5.9 -------

工作温度范围(℃) -10～+60 -------

储存温度范围(℃) -20～+70 -------

分流电阻RSH(MΩ) 10(>5) -------

等效噪声功率NEP (W/√Hz) 4.5×10-13 -------

暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8—5×10-11 A

结电容(pf) 4500 <3000(-10V)

信号输出模式 电流 电流

输出信号极性 正（P） 正（P）

主要特点：

■ DSi200/DSi300硅光电探测器

硅光电探测器（Si）

———室温型探测器，波长范围：200-1100nm

两种型号的探测器室的外观相同，其中：

◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器

◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器

◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用

硅光电探测器使用建议：

◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；

◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；

◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。