■ 砷化铟探测器（InAs）

———近红外探测器 波长范围：1-3.8μm

技术参数：

主要技术指标

型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE

光敏面直径(mm) 2 2

波长范围(μm) 1-3.8 1-3.8

峰值响应度(A/W) 0.8 1.5

D*(@λpeak， 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5×109 9.1×1012

NEP(@λpeak，1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4

温控器型号 - ZTC-2

探测器温度(℃) 室温 -40

温度稳定度(℃) - ±0.5

信号输出模式 电流 电流

输出信号极性 正（P） 正（P）

制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）

推荐使用前置放大器型号：ZAMP

主要特点：

■ 砷化铟探测器（InAs）

———近红外探测器 波长范围：1-3.8μm

DInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。

砷化铟探测器使用建议：

● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；

● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；

● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；

● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。